寬溫DRAM模塊能在-40°C至85°C的范圍內運行，這些模塊設計用于解決車輛、工廠、網(wǎng)絡和室外信息亭以及監(jiān)控和安防市場等應用程序所處的惡劣環(huán)境條件。

寬溫規(guī)范是基于DRAM集成電路（IC）的JEDEC標準，JEDEC標準21C概述了標準DRAM模塊的規(guī)范。這些概述了寬溫DRAM的基本技術指標，以及測試程序和質量控制，為工業(yè)級寬溫存儲器的設計奠定了基礎。

介紹 

無論大小和應用程序如何，內存是每臺計算機的重要組成部分，特別是邊緣設備，必須準備好應對環(huán)境造成的任何溫度和物理困難。

這一點變得越來越重要，因為我們不斷發(fā)展和邊緣計算能力的增強，我們需要減少延遲并創(chuàng)建更高效的系統(tǒng)。

這意味著以前位于集中和穩(wěn)定位置的設備現(xiàn)在被放置在收集實際數(shù)據(jù)的位置，這些地點可以是工廠樓層、繁忙的道路交叉口、船上或飛機上的任何地方，而將這些應用程序連接在一起的主要挑戰(zhàn)之一是大范圍的溫度變化。

雖然溫度變化可能是自然循環(huán)的一部分，但氣候變化是另一個可能影響未來和現(xiàn)有系統(tǒng)的因素，因為它在許多地方可能導致更不穩(wěn)定的天氣和不可預見的變化。

下文將解釋DRAM寬溫規(guī)范的背景，以及其應用和測試程序。

背景 

規(guī)范的“工業(yè)級寬溫”通常是指溫度范圍?40°C到85°C。對于Agrade來說，這些數(shù)字是基于JEDEC規(guī)范的進一步擴展以滿足行業(yè)要求。

JEDEC

JEDEC是一個為微電子行業(yè)開發(fā)開放標準的組織。這些標準是通過制造商和供應商之間的緊密合作創(chuàng)建的，并在全球范圍內使用。對于標準溫度DRAM，適用標準為21C。對于寬溫，有單獨的標準，概述不同DRAM類型的規(guī)范。這些標準詳細描述了寬溫DRAM模塊的制造要求和測試。

挑戰(zhàn) 

物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計算的趨勢都有助于在更惡劣的環(huán)境中使用更多的設備和計算能力。這包括極熱和極冷地區(qū)，以及易受氣候變化不利后果影響的地區(qū)。

例如，放置在室外的設備將經(jīng)歷一個連續(xù)的加熱和冷卻循環(huán)，隨著白天和夜晚的變化，而隨著季節(jié)的變化，其運行周期將更長。這些位置也很難進入，這增加了維護時間和成本。

在這些區(qū)域運行的設備必須使用能夠長時間處理這些情況的內存模塊，并且出勤率最低。

解決方案 

JEDEC標準

JEDEC標準分別規(guī)定了整個DRAM模塊和DRAM集成電路（IC）的溫度范圍，同時還規(guī)定，最大Tc不得超過為DRAM組件指定的值。Agrade嚴格遵循該準則。

DRAM模塊的溫度范圍被指定為Ta，它是指環(huán)境溫度。JEDEC將此范圍設置為：

0°C≤Ta≤55°C

外殼溫度（TC），即操作期間IC的溫度，自然會更高，因為它至少與環(huán)境溫度相同，操作期間產(chǎn)生的熱量在頂部。即，Tc等于Ta加上產(chǎn)生的熱量。JEDEC將此范圍設置為：

0°C≤Ta≤85°C

用于寬溫模塊的Agrade標準建立在JEDEC標準之上，并進一步擴展到負范圍：

-40°C≤Ta≤85°C

該范圍允許模塊在明顯超過JEDEC標準的環(huán)境中運行，無論是環(huán)境溫度還是IC溫度（因為TC始終等于或高于TA）。

測試和質量控制

為了驗證寬溫能力，以及穩(wěn)固性和產(chǎn)品質量，模塊將運行一個標準化的測試過程，如下所示。

（寬溫測試過程）

一旦順利通過了這一過程，模塊就可以在寬溫環(huán)境下使用。

寬溫規(guī)格對于確保您的設備在監(jiān)控、車輛、工廠、網(wǎng)絡和關鍵任務市場中的極端條件下生存至關重要。隨著計算能力的提高，對寬溫存儲器的需求也將增加，在這個領域，強大的物聯(lián)網(wǎng)設備對于壽命和高效維護至關重要。

寬溫在為惡劣環(huán)境準備內存的更廣泛工具集中起著一定的作用。將其與抗硫化、涂層、側填充和熱撒布器相結合，操作員可以根據(jù)其應用情況定制特定的解決方案。